SI8900EDB-T2-E1 Preços (USD) [54394pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71884
- 3,000 pcs$0.67285
- Número da peça:
- SI8900EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1 electronic components. SI8900EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8900EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8900EDB-T2-E1 Atributos do produto
Número da peça :
SI8900EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1.1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
10-UFBGA, CSPBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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