STMicroelectronics - STFH10N60M2

KEY Part #: K6398540

STFH10N60M2 Preços (USD) [52836pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.41852
  • 1,000 pcs$0.32803

Número da peça:
STFH10N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET NCH 600V 7.5A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFH10N60M2 Atributos do produto

Número da peça : STFH10N60M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET NCH 600V 7.5A TO220
Series : MDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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