Microsemi Corporation - APTMC60TLM55CT3AG

KEY Part #: K6523691

APTMC60TLM55CT3AG Preços (USD) [4081pcs Estoque]

  • 100 pcs$172.30406

Número da peça:
APTMC60TLM55CT3AG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TLM55CT3AG Atributos do produto

Número da peça : APTMC60TLM55CT3AG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V
Potência - Max : 250W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3

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