Diodes Incorporated - DMP1011UCB9-7

KEY Part #: K6405154

DMP1011UCB9-7 Preços (USD) [248099pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.14908
  • 3,000 pcs$0.13247

Número da peça:
DMP1011UCB9-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1011UCB9-7 Atributos do produto

Número da peça : DMP1011UCB9-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 4V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 890mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-WLB1515-9
Pacote / caso : 9-UFBGA, WLBGA

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