TRS10E65C,S1Q Preços (USD) [8635pcs Estoque]
- 1 pcs$5.24874
- 50 pcs$4.30308
- 100 pcs$3.88327
- 500 pcs$3.25354
- Número da peça:
- TRS10E65C,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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TRS10E65C,S1Q Atributos do produto
Número da peça :
TRS10E65C,S1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Atual - Média Retificada (Io) :
10A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 10A
Rapidez :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
90µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-2L
Temperatura de funcionamento - junção :
175°C (Max)
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