[1581pcs Estoque]
- Número da peça:
- RS3BHE3/9AT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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RS3BHE3/9AT Atributos do produto
Número da peça :
RS3BHE3/9AT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 2.5A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
44pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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