ON Semiconductor - FGH60N60SMD

KEY Part #: K6423166

FGH60N60SMD Preços (USD) [19523pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.81701
  • 100 pcs$1.48886
  • 500 pcs$1.26744
  • 1,000 pcs$1.01410

Número da peça:
FGH60N60SMD
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 600V 120A 600W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGH60N60SMD Atributos do produto

Número da peça : FGH60N60SMD
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 600V 120A 600W TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 120A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 180A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 60A
Potência - Max : 600W
Energia de comutação : 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 189nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 18ns/104ns
Condição de teste : 400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 39ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3