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Samsung Semiconductor - K4F8E3S4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359770

[16747pcs Estoque]

    Número da peça:
    K4F8E3S4HB-MHCJ
    Fabricante:
    Samsung Semiconductor
    Descrição detalhada:
    8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: LPDDR3, DDR4, HBM Aquabolt, SLC Nand, DDR3, LPDDR4X, GDDR6 and GDDR5 ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F8E3S4HB-MHCJ electronic components. K4F8E3S4HB-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F8E3S4HB-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F8E3S4HB-MHCJ Atributos do produto

    Número da peça : K4F8E3S4HB-MHCJ
    Fabricante : Samsung Semiconductor
    Descrição : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    Series : DDR3
    Densidade : 8 Gb
    Org. : x32
    Rapidez : 3733 Mbps
    Voltagem : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 105 °C
    Pacote : 200FBGA
    Status do produto : Mass Production

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