[23219pcs Estoque]
- Número da peça:
- K4F2E3S4HM-MHCJ
- Fabricante:
- Samsung Semiconductor
- Descrição detalhada:
- 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: GDDR6, LPDDR5, HBM Flarebolt, SLC Nand, LPDDR4, HBM Aquabolt, MODULE and LPDDR3 ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4F2E3S4HM-MHCJ electronic components. K4F2E3S4HM-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F2E3S4HM-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4F2E3S4HM-MHCJ Atributos do produto
Número da peça :
K4F2E3S4HM-MHCJ
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descrição :
12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Series :
DDR3
Densidade :
12 Gb
Org. :
x32
Rapidez :
3733 Mbps
Voltagem :
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. :
-40 ~ 105 °C
Pacote :
200FBGA
Status do produto :
Mass Production
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