DMN2014LHAB-7 Preços (USD) [437547pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08453
- 3,000 pcs$0.06662
- Número da peça:
- DMN2014LHAB-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 electronic components. DMN2014LHAB-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2014LHAB-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2014LHAB-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2014LHAB-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1550pF @ 10V
Potência - Max :
800mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-UFDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
U-DFN2030-6 (Type B)
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