IKD10N60RFATMA1 Preços (USD) [112915pcs Estoque]
- 1 pcs$0.32757
- 2,500 pcs$0.31288
- 5,000 pcs$0.30902
- Número da peça:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1 electronic components. IKD10N60RFATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IKD10N60RFATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IKD10N60RFATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IKD10N60RFATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Series :
TrenchStop®
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
20A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
30A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 10A
Potência - Max :
150W
Energia de comutação :
190µJ (on), 160µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
64nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
12ns/168ns
Condição de teste :
400V, 10A, 26 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
72ns
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
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