Rohm Semiconductor - BSM300D12P2E001

KEY Part #: K6522042

BSM300D12P2E001 Preços (USD) [139pcs Estoque]

  • 1 pcs$332.21910
  • 10 pcs$319.91290

Número da peça:
BSM300D12P2E001
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 1200V 300A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM300D12P2E001 Atributos do produto

Número da peça : BSM300D12P2E001
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 68mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 35000pF @ 10V
Potência - Max : 1875W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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