Infineon Technologies - BAS1603WE6327HTSA1

KEY Part #: K6456018

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Número da peça:
BAS1603WE6327HTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS1603WE6327HTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BAS1603WE6327HTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Series : -
Status da Peça : Last Time Buy
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
Atual - Média Retificada (Io) : 250mA (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 75V
Capacitância @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SC-76, SOD-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOD323-2
Temperatura de funcionamento - junção : 150°C (Max)

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