Vishay Semiconductor Diodes Division - SE10FJHM3/I

KEY Part #: K6455944

SE10FJHM3/I Preços (USD) [996923pcs Estoque]

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Número da peça:
SE10FJHM3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE10FJHM3/I Atributos do produto

Número da peça : SE10FJHM3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 1A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 780ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 7.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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