Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4EWH02FNTR-M3

KEY Part #: K6452781

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Número da peça:
VS-4EWH02FNTR-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4EWH02FNTR-M3 Atributos do produto

Número da peça : VS-4EWH02FNTR-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
Series : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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