Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-12EWH06FN-M3

KEY Part #: K6452693

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Número da peça:
VS-12EWH06FN-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-12EWH06FN-M3 Atributos do produto

Número da peça : VS-12EWH06FN-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 12A TO252
Series : FRED Pt®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 12A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.5V @ 12A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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