IPN60R360P7SATMA1 Preços (USD) [198601pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18624
- 3,000 pcs$0.16762
- Número da peça:
- IPN60R360P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPN60R360P7SATMA1 electronic components. IPN60R360P7SATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R360P7SATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN60R360P7SATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPN60R360P7SATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
7W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223
Pacote / caso :
TO-261-3
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