Vishay Semiconductor Diodes Division - RS2JHE3_A/H

KEY Part #: K6427118

RS2JHE3_A/H Preços (USD) [525400pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07040
  • 3,000 pcs$0.06437

Número da peça:
RS2JHE3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA. Rectifiers 1.5A, 600V, 250nS SMB, FS, GPP SM RECT
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS2JHE3_A/H Atributos do produto

Número da peça : RS2JHE3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1.5A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 250ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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