[999pcs Estoque]
- Número da peça:
- V12P10HE3/86A
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V12P10HE3/86A electronic components. V12P10HE3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V12P10HE3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V12P10HE3/86A Atributos do produto
Número da peça :
V12P10HE3/86A
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Series :
eSMP®, TMBS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo de Diodo :
Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
12A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
700mV @ 12A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
250µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 150°C
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