Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P10HE3/86A

KEY Part #: K6448682

[999pcs Estoque]


    Número da peça:
    V12P10HE3/86A
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V12P10HE3/86A electronic components. V12P10HE3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V12P10HE3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    V12P10HE3/86A Atributos do produto

    Número da peça : V12P10HE3/86A
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
    Series : eSMP®, TMBS®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Schottky
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
    Atual - Média Retificada (Io) : 12A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 12A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 100V
    Capacitância @ Vr, F : -
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
    Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C