Renesas Electronics America - UPA2660T1R-E2-AX

KEY Part #: K6522118

UPA2660T1R-E2-AX Preços (USD) [445338pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

Número da peça:
UPA2660T1R-E2-AX
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2660T1R-E2-AX Atributos do produto

Número da peça : UPA2660T1R-E2-AX
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V
Potência - Max : 2.3W
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-HUSON (2x2)