Vishay Semiconductor Diodes Division - VB20120SG-E3/8W

KEY Part #: K6437240

VB20120SG-E3/8W Preços (USD) [100771pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.38801
  • 800 pcs$0.34378

Número da peça:
VB20120SG-E3/8W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VB20120SG-E3/8W Atributos do produto

Número da peça : VB20120SG-E3/8W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
Series : TMBS®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 120V
Atual - Média Retificada (Io) : 20A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 20A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 120V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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