STMicroelectronics - STW6N120K3

KEY Part #: K6415397

STW6N120K3 Preços (USD) [12423pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$1.52024

Número da peça:
STW6N120K3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW6N120K3 Atributos do produto

Número da peça : STW6N120K3
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
Series : SuperMESH3™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3