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GeneSiC Semiconductor - MBR600150CTR

KEY Part #: K6468895

MBR600150CTR Preços (USD) [729pcs Estoque]

  • 1 pcs$63.61256
  • 25 pcs$37.09736
Número da peça:
MBR600150CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR electronic components. MBR600150CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600150CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR600150CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR600150CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3mA @ 150V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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