Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

[6347pcs Estoque]


    Número da peça:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU(T5L,F,T) electronic components. HN1D02FU(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1D02FU(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) Atributos do produto

    Número da peça : HN1D02FU(T5L,F,T)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Configuração de diodo : 2 Pair Common Cathode
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
    Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 100mA
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
    Rapidez : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500nA @ 80V
    Temperatura de funcionamento - junção : 125°C (Max)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : US6

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