TPD3215M Preços (USD) [522pcs Estoque]
- 1 pcs$97.80421
- 10 pcs$93.08330
- Número da peça:
- TPD3215M
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição detalhada:
- GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Transphorm TPD3215M electronic components. TPD3215M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPD3215M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPD3215M Atributos do produto
Número da peça :
TPD3215M
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2260pF @ 100V
Potência - Max :
470W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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