Renesas Electronics America - RJK1003DPN-E0#T2

KEY Part #: K6393916

RJK1003DPN-E0#T2 Preços (USD) [66402pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.36617

Número da peça:
RJK1003DPN-E0#T2
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK1003DPN-E0#T2 Atributos do produto

Número da peça : RJK1003DPN-E0#T2
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET N-CH 100V 50A TO220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4150pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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