BSO080P03NS3GXUMA1 Preços (USD) [220828pcs Estoque]
- 1 pcs$0.16749
- 2,500 pcs$0.15758
- Número da peça:
- BSO080P03NS3GXUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO080P03NS3GXUMA1 electronic components. BSO080P03NS3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO080P03NS3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO080P03NS3GXUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSO080P03NS3GXUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6750pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-DSO-8
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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