TSM220NB06LCR RLG Preços (USD) [343072pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10781
- Número da peça:
- TSM220NB06LCR RLG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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TSM220NB06LCR RLG Atributos do produto
Número da peça :
TSM220NB06LCR RLG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1314pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PDFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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