Infineon Technologies - IRLS4030-7PPBF

KEY Part #: K6407088

IRLS4030-7PPBF Preços (USD) [8629pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.92184
  • 10 pcs$2.60894
  • 100 pcs$2.13942
  • 500 pcs$1.73240
  • 1,000 pcs$1.46106

Número da peça:
IRLS4030-7PPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLS4030-7PPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLS4030-7PPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 190A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11490pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 370W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK (7-Lead)
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB