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  4. Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. JAN2N7334

Microsemi Corporation - JAN2N7334

KEY Part #: K6523786

[4049pcs Estoque]

    Número da peça:
    JAN2N7334
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrição detalhada:
    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN2N7334 electronic components. JAN2N7334 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN2N7334, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN2N7334 Atributos do produto

    Número da peça : JAN2N7334
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrição : MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
    Series : Military, MIL-PRF-19500/597
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : 4 N-Channel
    Recurso FET : Standard
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Potência - Max : 1.4W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : MO-036AB

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