SPD08P06PGBTMA1 Preços (USD) [240501pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15379
- Número da peça:
- SPD08P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SPD08P06PGBTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPD08P06PGBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.83A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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