DMHC6070LSD-13 Preços (USD) [179158pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20645
- 2,500 pcs$0.18272
- Número da peça:
- DMHC6070LSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 electronic components. DMHC6070LSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMHC6070LSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMHC6070LSD-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMHC6070LSD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
731pF @ 20V
Potência - Max :
1.6W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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