IDP08E65D2XKSA1 Preços (USD) [59949pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.39887
- 100 pcs$0.29417
- 500 pcs$0.24302
- 1,000 pcs$0.19186
- Número da peça:
- IDP08E65D2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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IDP08E65D2XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IDP08E65D2XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2.3V @ 3A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
40ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-2
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 175°C
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