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GeneSiC Semiconductor - MBR200200CTR

KEY Part #: K6468992

MBR200200CTR Preços (USD) [1317pcs Estoque]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681
Número da peça:
MBR200200CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 200A Reverse
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR electronic components. MBR200200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR200200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR200200CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR200200CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 100A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3mA @ 200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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