Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-E3/TR

KEY Part #: K6452662

BYG10J-E3/TR Preços (USD) [833970pcs Estoque]

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  • 1,800 pcs$0.04701
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  • 5,400 pcs$0.03996
  • 12,600 pcs$0.03643
  • 45,000 pcs$0.03408

Número da peça:
BYG10J-E3/TR
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-E3/TR Atributos do produto

Número da peça : BYG10J-E3/TR
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Avalanche
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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