IXYS - IXBX50N360HV

KEY Part #: K6421978

IXBX50N360HV Preços (USD) [1614pcs Estoque]

  • 1 pcs$28.09451
  • 10 pcs$26.27328
  • 25 pcs$24.29916
  • 100 pcs$22.78046

Número da peça:
IXBX50N360HV
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXBX50N360HV Atributos do produto

Número da peça : IXBX50N360HV
Fabricante : IXYS
Descrição : IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Series : BIMOSFET™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 3600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 125A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 420A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.9V @ 15V, 50A
Potência - Max : 660W
Energia de comutação : -
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 210nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 46ns/205ns
Condição de teste : 960V, 50A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 1.7µs
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247PLUS-HV