ON Semiconductor - NGTB25N120FL3WG

KEY Part #: K6421885

NGTB25N120FL3WG Preços (USD) [15330pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.93820
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  • 500 pcs$1.35193
  • 1,000 pcs$1.08171

Número da peça:
NGTB25N120FL3WG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 100A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB25N120FL3WG Atributos do produto

Número da peça : NGTB25N120FL3WG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 100A TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 100A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 25A
Potência - Max : 349W
Energia de comutação : 1mJ (on), 700µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 136nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 15ns/109ns
Condição de teste : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 114ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3