STGW35NB60SD Preços (USD) [14986pcs Estoque]
- 1 pcs$2.57369
- 10 pcs$2.31279
- 100 pcs$1.89492
- 500 pcs$1.61309
- 1,000 pcs$1.36044
- Número da peça:
- STGW35NB60SD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 70A 200W TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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STGW35NB60SD Atributos do produto
Número da peça :
STGW35NB60SD
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
IGBT 600V 70A 200W TO247
Series :
PowerMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
70A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
250A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 20A
Potência - Max :
200W
Energia de comutação :
840µJ (on), 7.4mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
83nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
92ns/1.1µs
Condição de teste :
480V, 20A, 100 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
44ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
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