Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P8-M3/86A

KEY Part #: K6431529

V12P8-M3/86A Preços (USD) [249350pcs Estoque]

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  • 6,000 pcs$0.12900

Número da peça:
V12P8-M3/86A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V12P8-M3/86A Atributos do produto

Número da peça : V12P8-M3/86A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A
Series : Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
Atual - Média Retificada (Io) : 4.3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 660mV @ 12A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 80V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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