Descrição :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die