STI18N65M2 Preços (USD) [39460pcs Estoque]
- 1 pcs$0.99090
- 10 pcs$0.89515
- 100 pcs$0.71917
- 500 pcs$0.55937
- 1,000 pcs$0.46348
- Número da peça:
- STI18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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STI18N65M2 Atributos do produto
Número da peça :
STI18N65M2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Series :
MDmesh™ M2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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