GSID100A120T2P2 Preços (USD) [681pcs Estoque]
- 1 pcs$68.52194
- 3 pcs$68.18104
- Número da peça:
- GSID100A120T2P2
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição detalhada:
- SILICON IGBT MODULES.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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GSID100A120T2P2 Atributos do produto
Número da peça :
GSID100A120T2P2
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
SILICON IGBT MODULES
Series :
Amp+™
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
200A
Potência - Max :
710W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Entrada :
Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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