Infineon Technologies - FS150R12KT3BOSA1

KEY Part #: K6534174

FS150R12KT3BOSA1 Preços (USD) [505pcs Estoque]

  • 1 pcs$91.80400

Número da peça:
FS150R12KT3BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE 1200V 200A CHASS MNT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R12KT3BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FS150R12KT3BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE 1200V 200A CHASS MNT
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 200A
Potência - Max : 700W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 10.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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