Taiwan Semiconductor Corporation - TPMR6J S1G

KEY Part #: K6452814

TPMR6J S1G Preços (USD) [414875pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08915

Número da peça:
TPMR6J S1G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers 35ns, 6A, 600V, Superfast Recovery Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPMR6J S1G Atributos do produto

Número da peça : TPMR6J S1G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 6A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 40ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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