Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV26E-TAP

KEY Part #: K6455998

BYV26E-TAP Preços (USD) [445338pcs Estoque]

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Número da peça:
BYV26E-TAP
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE AVALANCHE 1000V 1A SOD57. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV26E-TAP Atributos do produto

Número da peça : BYV26E-TAP
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE AVALANCHE 1000V 1A SOD57
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Avalanche
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.5V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 75ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : SOD-57, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOD-57
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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