Microsemi Corporation - 1N5811US

KEY Part #: K6446463

1N5811US Preços (USD) [9660pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.97550
  • 10 pcs$4.47707
  • 25 pcs$4.07894
  • 100 pcs$3.68108
  • 250 pcs$3.38260
  • 500 pcs$3.08413

Número da peça:
1N5811US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5811US Atributos do produto

Número da peça : 1N5811US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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