ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160G-5BL-TR

KEY Part #: K938150

IS42S16160G-5BL-TR Preços (USD) [19323pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.64430
  • 2,500 pcs$2.63115

Número da peça:
IS42S16160G-5BL-TR
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrição detalhada:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, 200Mhz 16M x 16 SDRAM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Lógica - chinelos, Interface - Terminais de Sinal, PMIC - PFC (correção do fator de potência), Embutido - Microprocessadores, PMIC - Iluminação, Controladores de Lastro, Chips IC, PMIC - Reguladores de tensão - linear + comutação and Interface - UARTs (Transmissor Receptor Assíncrono ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-5BL-TR electronic components. IS42S16160G-5BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S16160G-5BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S16160G-5BL-TR Atributos do produto

Número da peça : IS42S16160G-5BL-TR
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrição : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Volatile
Formato de memória : DRAM
Tecnologia : SDRAM
Tamanho da memória : 256Mb (16M x 16)
Freqüência do relógio : 200MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página : -
Tempo de acesso : 5ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 3V ~ 3.6V
Temperatura de operação : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 54-TFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 54-TFBGA (8x8)

Últimas notícias

Você também pode estar interessado em
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)