Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG2S0HBAI4

KEY Part #: K938187

TC58NVG2S0HBAI4 Preços (USD) [19471pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.35334

Número da peça:
TC58NVG2S0HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Lógica - Funções de barramento universal, Logic - Interruptores de Sinal, Multiplexadores, D, PMIC - Gerenciamento de Bateria, PMIC - Reguladores de tensão - finalidade especial, Conversores PMIC - RMS para DC, Interface - Expansores de E / S, Linear - Amplificadores - Amplificadores e módulos and Interface - CODECs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG2S0HBAI4 electronic components. TC58NVG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG2S0HBAI4 Atributos do produto

Número da peça : TC58NVG2S0HBAI4
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : 25ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 63-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 63-TFBGA (9x11)

Você também pode estar interessado em
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)