FDMC86139P Preços (USD) [129208pcs Estoque]
- 1 pcs$0.28769
- 3,000 pcs$0.28626
- Número da peça:
- FDMC86139P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMC86139P electronic components. FDMC86139P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC86139P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMC86139P Atributos do produto
Número da peça :
FDMC86139P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.4A (Ta), 15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
67 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1335pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-MLP (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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