[847pcs Estoque]
- Número da peça:
- IFS100B12N3E4_B39
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IFS100B12N3E4_B39 Atributos do produto
Número da peça :
IFS100B12N3E4_B39
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100A
Potência - Max :
515W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
6.3nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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